Ex-Samsung-Manager: Chinas DRAM-Offensive könnte RAM-Preise in H2 2027 drücken
Ein ehemaliger leitender Manager bei Samsung warnt, dass Chinas massiver Kapazitätsaufbau im DRAM-Segment – angeführt von ChangXin Memory Technologies (CXMT) – den aktuellen Preisauftrieb bei DDR5 innerhalb eines Jahres umkehren könnte. CXMT verzeichnete im ersten Quartal 2026 einen Gewinnanstieg von 1.688 % und finanziert seine Expansion über einen geplanten Börsengang in Shanghai mit einem Volumen von 4,2 Milliarden US-Dollar. Die Produktionskapazität soll von rund 280.000 auf über 300.000 Wafer pro Monat ausgebaut werden. Parallel investiert CXMT in HBM-Backend-Packaging in Shanghai mit dem Ziel, bis Ende 2026 eine initiale HBM-Kapazität von 30.000 Wafer pro Monat zu erreichen. Die Erlöse des IPO fließen in den Bau einer zweiten Wafer-Fabrik, technische Upgrades und die Entwicklung der nächsten Speichergeneration. Der Ex-Samsung-Manager betont, dass ein Erfolg dieser Investitionen das globale Angebot deutlich erhöhen und den aktuellen DDR5-Preisanstieg dämpfen würde – konkret nennt er das zweite Halbjahr 2027 als möglichen Wendepunkt.
- CXMT-Gewinn stieg in Q1 2026 um 1.688 % – Unternehmen gilt als wichtigster chinesischer DRAM-Hersteller.
- Geplanter Shanghai-IPO über 4,2 Mrd. USD soll Phase-II-Waferfabrik und nächste Speichergeneration finanzieren.
- HBM-Kapazität von 30.000 Wafer/Monat wird für Ende 2026 angepeilt – Einstieg in den KI-Speichermarkt.
- Gesamtkapazität soll von ~280.000 auf über 300.000 Wafer/Monat wachsen.
- Quelle der Einschätzung ist ein namentlich nicht genannter früherer Samsung-Chip-Manager, berichtet via WCCFtech.
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